Memoria Nand Flash in Hard Disk interni

Completa i tuoi compiti in un attimo. La 990 EVO Plus con memoria NAND Flash attuale offre velocità di lettura e scrittura sequenziali fino a 7.250/6.300 MB/s. I file di grandi dimensioni vengono trasferiti rapidamente. Con una potenza fresca per …

Informazioni generaliTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità2 TBTipo di memoria flash NAND3D Quad-Level Cell (QLC)Fattore di formaM.2 2280InterfacciaPCIe 4.0 x4 (NVMe)CaratteristicheNVM Express (NVMe) 1.4, supporto TRIM, Over Provision,

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione2 TBTipo di memoria flash NAND3D a triplo livello di celle (TLC)Fattore di formaM.2 2280Tipo di interfacciaPCI Express 5.0 x4 (NVMe)Dimensione del buffer4 GBCara

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione2 TBTipo di memoria flash NAND3D a triplo livello di celle (TLC)Fattore di forma2.5" (6,4 cm)Tipo di interfacciaSATA 6Gb/sCaratteristicheNative Command Queuing (

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità480 GBTipo di memoria flash NAND3D a triplo livello di celle (TLC)Fattore di formaM.2 2280Tipo di interfacciaPCIe 4.0 x4 (NVMe)CaratteristicheProtezione da interruzione di corren

Accelerazione Crucial BX500: i file vengono caricati rapidamente e anche le applicazioni più impegnative vengono eseguite istantaneamente; la tecnologia di accelerazione dinamica utilizza una memoria Flash a singolo livello ad alta velocità per raggiunger

Informazioni generaliTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità2 TBTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di formaM.2 2280InterfacciaPCI Express 5.0 x4 (NVMe)CaratteristicheNVM Express (NVMe) 2.0, supporto DEVSLP, tecno

Completa le tue attività in un attimo. Il 990 EVO Plus con memoria NAND Flash attuale offre velocità di lettura e scrittura sequenziali fino a 7.250/6.300 MB/s. I file di grandi dimensioni vengono trasferiti rapidamente. Molto efficienza per alte …

Informazioni generaliTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità2 TBAlgoritmo di crittografiaAES a 256 bitTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Dissipatore di calore integratoSìFattore di formaM.2 2280InterfacciaPCIe 4.0 x4 (NV

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione960 GBTipo di memoria flash NAND3D a triplo livello di celle (TLC)Fattore di formaM.2 2280Tipo di interfacciaPCIe 4.0 x4 (NVMe)CaratteristicheProtezione da inter

Informazioni generaliTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità4 TBCrittografia hardwareSìTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Dissipatore di calore integratoSìFattore di formaM.2 2280InterfacciaPCI Express 5.0 x4 (NVMe)Carat

GeneraleTipo di dispositivoSolid State Drive - internoCapacità960 GBCrittografia hardwareSìAlgoritmo di crittografia256-Bit-AESTipo di memoria NAND Flash3D triple-level cell (TLC)Fattore di forma2.5" (6.4 cm)InterfacciaSATA 6Gb/sCaratteristicheThrottling

Informazioni generaliTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità8 TBCrittografia hardwareSìTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di formaM.2 2280InterfacciaPCIe 4.0 x4 (NVMe)CaratteristicheGame Mode 2.0, monitoraggio te

Informazioni generaliTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità1920 GBTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di forma2,5" (6,4 cm)InterfacciaPCIe 4.0 x4 (NVMe)Caratteristiche3D BiCS FLASH a 112 strati, Sanitize Instant

Informazioni generaliTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità8 TBTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di formaM.2 2280InterfacciaPCI Express 5.0 x4 (NVMe)CaratteristicheTecnologia nCache 4.0, CMOS-bound array (CBA),

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione1.92 TBAlgoritmo di crittografiaaES a 256 bitTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di forma2.5" (6,4 cm)InterfacciaSATA 6Gb/sByte per setto

In generaleTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità3840 GBTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di forma2.5" (6,4 cm)InterfacciaPCI Express 5.0 (NVMe)CaratteristicheSanitize Instant Erase (SIE), protezione contro le

Informazioni generaliTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità3,84 TBTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di forma2,5" (6,4 cm)InterfacciaSATA 6 Gb/sCaratteristicheTecnologia 3D NAND, tecnologia 3D NAND a 144 stratiP

In generaleTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità7680 GBTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di forma2.5" (6,4 cm)InterfacciaPCI Express 5.0 (NVMe)Caratteristiche112-layer 3D BiCS FLASH, funzionamento ininterrotto

Informazioni generaliTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità6400 GBTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di forma2,5" (6,4 cm)InterfacciaPCI Express 5.0 x4 (NVMe)CaratteristicheSanitize Instant Erase (SIE), 3D BiCS