Hard Disk Memoria Solida in Hard Disk interni

2 Colore: N/A Intel S3520 - SSD - 480 GB - interno - M.2 - SATA - per PowerEdge C6420 DELL Unità interna M.2 SATA III da 480 GB con memoria a stato solido 400-AVSS DELL 400-AVSS. Capacità unità a stato solido (SSD): 480 GB, Fattore di forma SSD: M.2, Velo

Informazioni generaliTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità960 GBCrittografia hardwareSìAlgoritmo di crittografiaAES a 256 bitTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di forma2,5" (6,4 cm)InterfacciaSATA 6 Gb/sCaratte

Lenovo ThinkSystem S4520 - SSD - Lettura intensiva - 480 GB - SATA 6Gb/s (4XB7A17101)Tipo Unità a stato solido - Hot-Swap Capacità 480 GB Tipo di memoria flash NAND 3D a triplo livello di celle (TLC) Fattore di forma 2,5" (6,4 cm) Interfaccia SATA 6Gb/s V

Dotato di un processore veloce e di una generosa quantità di memoria, questo sistema è particolarmente adatto per l'uso quotidiano, il multitasking intensivo, le attività d'ufficio e il gaming leggero. Il disco a stato solido (SSD) ad alta velocità garant

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - Hot-SwapCapacità800 GBTipo di memoria flash NANDTLC (Triple-Level Cell)Fattore di forma2.5" SFF (6,4 cm SFF)InterfacciaSAS 24Gb/sCaratteristicheFirmware firmato digitalmenteAltezza15 mmCombinat

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione960 GBCrittografia hardwareSìAlgoritmo di crittografiaaES-XTS a 256 bitTipo di memoria flash NANDCella multilivello (MLC)Fattore di formaM.2 22110Tipo di interfa

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione1.92 TBCrittografia hardwareSìAlgoritmo di crittografiaaES a 256 bitTipo di memoria flash NANDcella a triplo livello 3D (TLC)Fattore di forma2.5" (6,4 cm)Interfa

Volete accelerare le prestazioni delle vostre applicazioni data-intensive? Le unità con memoria a stato solido (SSD) per uso misto (MU) dei server HPE offrono prestazioni e durata elevate per le applicazioni che richiedono prestazioni IOPS elevate per let

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione3.2 TBCrittografia hardwareSìAlgoritmo di crittografiaaES a 256 bitTipo di memoria flash NANDcella a triplo livello 3D (TLC)Fattore di forma2.5" (6,4 cm)Tipo di

Samsung Pm893 Series Mz7l31t9hblt-00a07 - Solid State Drive - 1,92 Tb - Sata 6gb/s Tipo: unità a stato solido - interna Capacità: 1,92 Tb Algoritmo di crittografia: Aes a 256 bit Tipo di memoria flash Nand: cella a triplo livello 3d (tlc) Fattore di …

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione1.92 TBCrittografia hardwareSìAlgoritmo di crittografiaaES a 256 bitTipo di memoria flash NANDcella a triplo livello 3D (TLC)Fattore di forma2.5" (6,4 cm)Interfa

Informazioni generaliTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità8 TBTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Dissipatore di calore integratoSìFattore di formaM.2 2280InterfacciaPCI Express 5.0 x4 (NVMe)CaratteristicheDissipatore d

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione4 TBCrittografia hardwareSìAlgoritmo di crittografiaaES a 256 bitTipo di memoria flash NANDcella a triplo livello 3D (TLC)Fattore di forma2.5" (6,4 cm)Tipo di in

Hewlett Packard Enterprise 960GB SAS Solid State Drive - (P10637-001) HPE - SSD - Intensivo di lettura - 960 GB - Hot-Swap - 2,5" SFF (6,4 cm SFF) - SAS - con HPE Smart Carrier Unità con memoria a stato solido SAS da 960 GB di Hewlett Packard Enterprise -

Informazioni generaliTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità8 TBCrittografia hardwareSìTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di formaM.2 2280InterfacciaPCIe 4.0 x4 (NVMe)CaratteristicheGame Mode 2.0, monitoraggio te

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione8 TBCrittografia hardwareSìAlgoritmo di crittografiaaES a 256 bitTipo di memoria flash NANDcella a triplo livello 3D (TLC)Fattore di formaM.2 2280Tipo di interfa

In generaleTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità1920 GBTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di forma2.5" (6,4 cm)InterfacciaPCIe 4.0 x4 (NVMe)Caratteristiche112-layer 3D BiCS FLASH, Sanitize Instant Erase (SIE),

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione1.92 TBFattore di forma2.5" (6,4 cm)InterfacciaSATA 6Gb/sCaratteristicheProtezione da interruzione di corrente (SAS), protezione dei dati end-to-endLarghezza del

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - Hot-SwapCapacità dell'unità960 GBFattore di forma2.5" SFF (6,4 cm SFF)Velocità dell'interfacciaSATA 6Gb/sCaratteristicheUso misto, EnterprisePrestazioniRegistrazioni dell'unità al giorno5Veloci

Informazioni generaliTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità8 TBTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di formaM.2 2280InterfacciaPCI Express 5.0 x4 (NVMe)CaratteristicheTecnologia nCache 4.0, CMOS-bound array (CBA),