Memoria Nand Flash in Hard Disk interni

GeneraleTipo di dispositivoSSD internaCapacità4 TBCrittografia hardwareSìTipo di memoria flash NANDTLC (Triple-Level Cell)Dissipatore di calore integratoSìFattore di formaM.2 2280InterfacciaPCI Express 5.0 (NVMe)CaratteristicheTecnologia TLC NAND a 232 li

L'unità SSD PCIe 250S va oltre l'ultravelocità per offrire prestazioni senza limiti, bassa latenza ed elevata stabilità per editor video avanzati, giocatori e ingegneri software. Grazie all'interfaccia PCI Express® Gen 4 X4, alla memoria flash NAND 3D, al

Lenovo ThinkSystem S4520 - SSD - Lettura intensiva - 480 GB - SATA 6Gb/s (4XB7A17101)Tipo Unità a stato solido - Hot-Swap Capacità 480 GB Tipo di memoria flash NAND 3D a triplo livello di celle (TLC) Fattore di forma 2,5" (6,4 cm) Interfaccia SATA 6Gb/s V

Informazioni generaliTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità960 GBCrittografia hardwareSìAlgoritmo di crittografiaAES a 256 bitTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di forma2,5" (6,4 cm)InterfacciaSATA 6 Gb/sCaratte

Transcend MTE220S - SSD M.2 PCIe Gen3 x4 NVMe 2TB con DRAM cache - TS2TMTE220S Interfaccia PCIe Gen3 x4 e standard NVMe 1.3 Fino a 3,500 MB/s in lettura; 2,800 MB/s in scrittura Memoria flash 3D NAND e DRAM cache DDR3 Progettato con coding LDPC …

KingSpec 8TB 2.5 SSD SATA III Interno - 550 MB/s in lettura, 520 MB/s in scrittura con flash NAND 3D, per laptop e PC desktop Aggiornamento Veloce e straordinario: l'SSD KingSpec 2.5 SATAIII adotta memoria flash NAND 3D e componenti a semiconduttore, …

GeneraleTipo di dispositivoSolid State Drive (SSD) - internoCapacità1600 GBTipo di memoria NAND Flash3D triple-level cell (TLC)Fattore di forma2.5" (6.4 cm)InterfacciaPCI Express 5.0 x4 (NVMe)CaratteristicheFunzionamento continuo (24x7), Open Compute Proj

GeneraleTipo di dispositivoSSD - internaCapacità240 GBCrittografia hardwareSìAlgoritmo di crittografia256-bit AESTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)FormatoM.2 2280InterfacciaSATA 6Gb/sCaratteristicheTecnologia 3D NAND con 176 layer, suppo

Samsung Pm893 Series Mz7l31t9hblt-00a07 - Solid State Drive - 1,92 Tb - Sata 6gb/s Tipo: unità a stato solido - interna Capacità: 1,92 Tb Algoritmo di crittografia: Aes a 256 bit Tipo di memoria flash Nand: cella a triplo livello 3d (tlc) Fattore di …

Informazioni generaliTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità8 TBCrittografia hardwareSìTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di formaM.2 2280InterfacciaPCIe 4.0 x4 (NVMe)CaratteristicheGame Mode 2.0, monitoraggio te

GeneraleTipo di dispositivoLettore a semiconduttore - internoCapacità1.92 TBCrittografia hardwareSìAlgoritmo di crittografiaAES 256 bitTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Formato2.5"InterfacciaSATA 6Gb/sCaratteristicheMonitoraggio e regist

Informazioni generaliTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità1,92 TBTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di forma2,5" (6,4 cm)InterfacciaSATA 6 Gb/sCaratteristicheTecnologia 3D NAND a 144 stratiPrestazioniPrestazion

Informazioni generaliTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità8 TBTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Dissipatore di calore integratoSìFattore di formaM.2 2280InterfacciaPCI Express 5.0 x4 (NVMe)CaratteristicheDissipatore d

Informazioni generaliTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità1920 GBTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di forma2,5" (6,4 cm)InterfacciaPCIe 4.0 x4 (NVMe)Caratteristiche3D BiCS FLASH a 112 strati, Sanitize Instant

Informazioni generaliTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità8 TBTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di formaM.2 2280InterfacciaPCI Express 5.0 x4 (NVMe)CaratteristicheTecnologia nCache 4.0, CMOS-bound array (CBA),

GeneraleTipo di dispositivoSolid State Drive (SSD) - internoCapacità1920 GBTipo di memoria NAND Flash3D triple-level cell (TLC)Formato2.5" (6.4 cm)InterfacciaPCI Express 5.0 (NVMe)Caratteristiche3D BiCS FLASH a 112 strati, Sanitize Instant Erase (SIE), Du

GeneraleTipo di dispositivoSolid State Drive - internoCapacità1.6 TBCrittografia hardwareSìAlgoritmo di crittografiaFIPS 140-3 Livello 2, 256-bit AES, 3072-bit RSA, 208-bit RSATipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Formato2.5" (6.4 cm)Interfa

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione1.92 TBAlgoritmo di crittografiaaES a 256 bitTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di forma2.5" (6,4 cm)InterfacciaSATA 6Gb/sByte per setto

GeneraleTipo di dispositivoSSD - internaCapacità1600 GBCrittografia hardwareSìTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di forma2.5" (6.4 cm)InterfacciaSAS 24Gb/sCaratteristicheT10 Multi-Stream Write, protezione dati end-to-end, protezio

GeneraleTipo di dispositivoSSD - internaCapacità3200 GBTipo di memoria NAND Flash3D triple-level cell (TLC)Formato2.5" (6.4 cm)InterfacciaPCI Express 5.0 x4 (NVMe)CaratteristicheFunzionamento continuo (24x7), Open Compute Project 2.0, un connettore, prote