Memorie in Hard Disk interni

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione1.92 TBFattore di forma2.5" (6,4 cm)InterfacciaSATA 6Gb/sCaratteristicheProtezione da interruzione di corrente (SAS), protezione dei dati end-to-endLarghezza del

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - Hot-SwapCapacità di archiviazione1.6 TBTipo di memoria flash NANDTLC (Triple-Level Cell)Fattore di forma2.5" SFF (6,4 cm SFF)InterfacciaSAS 12Gb/sCaratteristicheDoppia porta, firmware firmato d

Informazioni generaliTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità2 TBTipo di memoria flash NANDTLC (Triple-Level Cell)Fattore di formaM.2 2280InterfacciaPCIe 4.0 x4Espansione e connettivitàInterfacce1 x PCI Express 4.0 x4Scheda compatibileM.2

Lenovo Think System - SSD - 1,92 TB - SAS 12 Gb/s Lenovo ThinkSystem - SSD - 1,92 TB - sostituibile a caldo - 2,5" - SAS 12Gb/s - per ThinkSystem DE2000H Hybrid; DE4000F; DE4000H Hybrid; DE6000F; DE6000H Hybrid Un SSD è una memoria di massa a stato …

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione1.92 TBFattore di forma2.5" (6,4 cm)InterfacciaSAS 24Gb/sCaratteristichetecnologia V-NAND a 128 stratiPrestazioniRegistrazioni dell'unità al giorno1Classe dell'u

In generaleTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità480 GBTipo di memoria flash NANDTLC (Triple-Level Cell)Fattore di formaM.2InterfacciaPCIe 4.0 (NVMe)CaratteristicheBassa latenza, protezione contro le interruzioni di corrente (SAS), prot

Informazioni generaliTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità8 TBTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di formaM.2 2280InterfacciaPCI Express 5.0 x4 (NVMe)CaratteristicheTecnologia nCache 4.0, CMOS-bound array (CBA),

Sistema SSD SAS aziendale da 2,5 pollici L'unità SSD EnterprisePM7-R Series 24G SAS è ottimizzata per le applicazioni ad alta intensità di lettura, tra cui servizi web, data warehousing, streaming media e video on demand. Caratterizzata dalla memoria flas

Sistema SSD SAS aziendale da 2,5 pollici Il sistema SSD aziendale SAS 24G della seriePM7-V è ottimizzato per applicazioni ad uso misto, tra cui database relazionali, streaming media, data warehousing e servizi web. Caratterizzata dalla memoria flash 3D Bi

Samsung SSD PM893 3.84 TB SATA (6Gb/s) 2.5" Data Center SSD OEM Samsung SSD PM893 3,84 TB SATA (6Gb/s) 2,5" Data Centre SSD OEM Dettagli del prodotto Design Unità a stato solido (SSD) Fattore di forma 2,5" Interfaccia SATA 6Gb/s Moduli di memoria 3D-NAND

Caratteristiche Carico di lavoro target: Lettura intensiva (RI)Fattore di forma SSD: M.2PCI Corsie dati interfaccia Express: x4Tipo di memoria: 3D TLC NANDCrittografia hardware: SìLatenza di lettura:80 µsNon correggibile Tasso di errore bit (UBER):< 1

Informazioni generaliTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità1,92 TBTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di forma2,5" (6,4 cm)InterfacciaSATA 6 Gb/sCaratteristicheTecnologia 3D NAND a 144 stratiPrestazioniPrestazion

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - Hot-SwapCapacità di archiviazione1.6 TBTipo di memoria flash NANDTLC (Triple-Level Cell)Fattore di forma2.5" SFF (6,4 cm SFF)Tipo di interfacciaU.3 PCIe 4.0 (NVMe)CaratteristicheDoppia porta, f

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - Hot-SwapCapacità dell'unità960 GBFattore di forma2.5" SFF (6,4 cm SFF)InterfacciaSAS 12Gb/sCaratteristicheValore HPEAltezza15 mmPeso500 gCombinato conHPE Smart CarrierPrestazioniRegistrazioni d

In generaleTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità3840 GBTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di forma2.5" (6,4 cm)InterfacciaPCI Express 5.0 (NVMe)CaratteristicheSanitize Instant Erase (SIE), protezione contro le

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - Hot-SwapCapacità di archiviazione3.2 TBTipo di memoria flash NANDTLC (Triple-Level Cell)Fattore di forma2.5" SFF (6,4 cm SFF)Tipo di interfacciaU.3 PCIe 4.0 (NVMe)CaratteristicheDoppia porta, f

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità interna7680 GBFattore di forma2.5" (6,4 cm)InterfacciaU.2 PCIe 4.0 x4 (NVMe)Byte per settore512CaratteristicheCancellazione istantanea Sanitise (SIE), supporto per la cancellazi

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - interna (stazionaria)Capacità di archiviazione3.84 TBFattore di forma2.5" (6,4 cm)InterfacciaSAS 24Gb/sCaratteristichetecnologia V-NAND a 128 stratiPrestazioniRegistrazioni dell'unità al giorno

GeneraleTipo di dispositivoSolid State Drive - internoCapacità7.68 TBCrittografia hardwareSìAlgoritmo di crittografia256-Bit-AESTipo di memoria NAND FlashTLC (Triple-Level Cell)Fattore di forma2.5" (6.4 cm)InterfacciaU.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe)CaratteristicheH

Informazioni generaliTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità6400 GBTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di forma2,5" (6,4 cm)InterfacciaPCI Express 5.0 x4 (NVMe)CaratteristicheSanitize Instant Erase (SIE), 3D BiCS