Memorie in Hard Disk interni

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione1.92 TBCrittografia hardwareSìAlgoritmo di crittografiaaES a 256 bitTipo di memoria flash NANDcella a triplo livello 3D (TLC)Fattore di forma2.5" (6,4 cm)Interfa

Samsung MZ-77Q4T0BW 870 QVO SSD Interno da 4 TB Form Factor 2.5", Intelligent Turbo Write, Magician 6 Software, memoria progettata per archiviazione di dati, compatibile con PC SSD SATA con elevata capacità di archiviazione per le applicazioni …

Samsung Pm893 Series Mz7l31t9hblt-00a07 - Solid State Drive - 1,92 Tb - Sata 6gb/s Tipo: unità a stato solido - interna Capacità: 1,92 Tb Algoritmo di crittografia: Aes a 256 bit Tipo di memoria flash Nand: cella a triplo livello 3d (tlc) Fattore di …

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - interna (stazionaria)Capacità di archiviazione960 GBFattore di forma2.5" (6,4 cm)InterfacciaSAS 24Gb/sCaratteristichetecnologia V-NAND a 128 stratiPrestazioniRegistrazioni dell'unità al giorno1

Volete accelerare le prestazioni delle vostre applicazioni data-intensive? Le unità con memoria a stato solido (SSD) per uso misto (MU) dei server HPE offrono prestazioni e durata elevate per le applicazioni che richiedono prestazioni IOPS elevate per let

Informazioni generaliTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità8 TBCrittografia hardwareSìTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di formaM.2 2280InterfacciaPCIe 4.0 x4 (NVMe)CaratteristicheGame Mode 2.0, monitoraggio te

HPE SSD MSA 1,92TB SAS 12G RI SFF 2,5 3yWty Interfaccia: SASFormato: 2,5Disco rigido: 1,92 TB. HPE - SSD - Lettura intensiva - 1,92 TB - 2,5" SFF (6,4 cm SFF) - SAS 12Gb/s - per Modular Smart Array 2050, 2052 Unità con memoria a stato solido HPE MSA SAS 1

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - Hot-SwapCapacità800 GBTipo di memoria flash NANDTLC (Triple-Level Cell)Fattore di forma2.5" SFF (6,4 cm SFF)InterfacciaSAS 24Gb/sCaratteristicheFirmware firmato digitalmenteAltezza15 mmCombinat

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - Hot-SwapCapacità dell'unità960 GBTipo di memoria flash NANDTLC (Triple-Level Cell)Fattore di forma3.5" LFF Low Profile (8,9 cm LFF Low Profile)InterfacciaSATA 6Gb/sCaratteristicheFirmware con f

Samsung Memorie MZ-VAP8T0BW 9100 PRO SSD Interno da 8TB, PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0, SSD Progettato per Professionisti e Gamer, Compatibile con PC e Playstation 5 SSD interno progettato per appassionati di gaming e professionisti, Perfetto per montare video …

Informazioni generaliTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità8 TBTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Dissipatore di calore integratoSìFattore di formaM.2 2280InterfacciaPCI Express 5.0 x4 (NVMe)CaratteristicheDissipatore d

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione1.92 TBFattore di forma2.5" (6,4 cm)InterfacciaU.2 PCIe 4.0 x4 (NVMe)PrestazioniVelocità di trasmissione dati interna6800 MBps (lettura)/4000 MBps (scrittura)4 K

Informazioni generaliTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità1920 GBTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di forma2,5" (6,4 cm)InterfacciaPCIe 4.0 x4 (NVMe)Caratteristiche3D BiCS FLASH a 112 strati, Sanitize Instant

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione1.92 TBFattore di forma2.5" (6,4 cm)InterfacciaSATA 6Gb/sCaratteristicheProtezione da interruzione di corrente (SAS), protezione dei dati end-to-endLarghezza del

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - Hot-SwapCapacità di archiviazione1.6 TBTipo di memoria flash NANDTLC (Triple-Level Cell)Fattore di forma2.5" SFF (6,4 cm SFF)InterfacciaSAS 12Gb/sCaratteristicheDoppia porta, firmware firmato d

Informazioni generaliTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità2 TBTipo di memoria flash NANDTLC (Triple-Level Cell)Fattore di formaM.2 2280InterfacciaPCIe 4.0 x4Espansione e connettivitàInterfacce1 x PCI Express 4.0 x4Scheda compatibileM.2

Lenovo Think System - SSD - 1,92 TB - SAS 12 Gb/s Lenovo ThinkSystem - SSD - 1,92 TB - sostituibile a caldo - 2,5" - SAS 12Gb/s - per ThinkSystem DE2000H Hybrid; DE4000F; DE4000H Hybrid; DE6000F; DE6000H Hybrid Un SSD è una memoria di massa a stato …

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione1.92 TBFattore di forma2.5" (6,4 cm)InterfacciaSAS 24Gb/sCaratteristichetecnologia V-NAND a 128 stratiPrestazioniRegistrazioni dell'unità al giorno1Classe dell'u

In generaleTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità480 GBTipo di memoria flash NANDTLC (Triple-Level Cell)Fattore di formaM.2InterfacciaPCIe 4.0 (NVMe)CaratteristicheBassa latenza, protezione contro le interruzioni di corrente (SAS), prot