Hard Disk Memoria Solida in Hard Disk interni

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione3.2 TBCrittografia hardwareSìAlgoritmo di crittografiaaES a 256 bitTipo di memoria flash NANDcella a triplo livello 3D (TLC)Fattore di forma2.5" (6,4 cm)Tipo di

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione1.92 TBFattore di forma2.5" (6,4 cm)InterfacciaU.2 PCIe 4.0 x4 (NVMe)PrestazioniVelocità di trasmissione dati interna6800 MBps (lettura)/4000 MBps (scrittura)4 K

Samsung Pm893 Series Mz7l31t9hblt-00a07 - Solid State Drive - 1,92 Tb - Sata 6gb/s Tipo: unità a stato solido - interna Capacità: 1,92 Tb Algoritmo di crittografia: Aes a 256 bit Tipo di memoria flash Nand: cella a triplo livello 3d (tlc) Fattore di …

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - Hot-SwapCapacità dell'unità960 GBTipo di memoria flash NANDTLC (Triple-Level Cell)Fattore di forma2.5" SFF (6,4 cm SFF)InterfacciaSAS 12Gb/sCaratteristicheFirmware firmato digitalmente, lettura

Hewlett Packard Enterprise 960GB SAS Solid State Drive - (P10637-001) HPE - SSD - Intensivo di lettura - 960 GB - Hot-Swap - 2,5" SFF (6,4 cm SFF) - SAS - con HPE Smart Carrier Unità con memoria a stato solido SAS da 960 GB di Hewlett Packard Enterprise -

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione1.92 TBCrittografia hardwareSìAlgoritmo di crittografiaaES a 256 bitTipo di memoria flash NANDcella a triplo livello 3D (TLC)Fattore di forma2.5" (6,4 cm)Interfa

Informazioni generaliTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità8 TBTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Dissipatore di calore integratoSìFattore di formaM.2 2280InterfacciaPCI Express 5.0 x4 (NVMe)CaratteristicheDissipatore d

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione4 TBCrittografia hardwareSìAlgoritmo di crittografiaaES a 256 bitTipo di memoria flash NANDcella a triplo livello 3D (TLC)Fattore di forma2.5" (6,4 cm)Tipo di in

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - Hot-SwapCapacità dell'unità960 GBFattore di forma2.5" SFF (6,4 cm SFF)Velocità dell'interfacciaSATA 6Gb/sCaratteristicheUso misto, EnterprisePrestazioniRegistrazioni dell'unità al giorno5Veloci

Informazioni generaliTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità8 TBCrittografia hardwareSìTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di formaM.2 2280InterfacciaPCIe 4.0 x4 (NVMe)CaratteristicheGame Mode 2.0, monitoraggio te

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione8 TBCrittografia hardwareSìAlgoritmo di crittografiaaES a 256 bitTipo di memoria flash NANDcella a triplo livello 3D (TLC)Fattore di formaM.2 2280Tipo di interfa

In generaleTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità1920 GBTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di forma2.5" (6,4 cm)InterfacciaPCIe 4.0 x4 (NVMe)Caratteristiche112-layer 3D BiCS FLASH, Sanitize Instant Erase (SIE),

Informazioni generaliTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità8 TBTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di formaM.2 2280InterfacciaPCI Express 5.0 x4 (NVMe)CaratteristicheTecnologia nCache 4.0, CMOS-bound array (CBA),

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità480 GBTipo di memoria flash NANDTLC (Triple-Level Cell)Fattore di formaM.2Tipo di interfacciaPCIe 4.0 (NVMe)CaratteristicheBassa latenza, protezione da interruzione di corrente (

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione3.84 TBFattore di forma2.5" (6,4 cm)InterfacciaSATA 6Gb/sByte per settore512CaratteristicheNative Command Queuing (NCQ), supporto TRIM, tecnologia MLC Samsung V-

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione1.92 TBAlgoritmo di crittografiaaES a 256 bitTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di forma2.5" (6,4 cm)InterfacciaSATA 6Gb/sByte per setto

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione1.92 TBFattore di forma2.5" (6,4 cm)InterfacciaSAS 24Gb/sCaratteristichetecnologia V-NAND a 128 stratiPrestazioniRegistrazioni dell'unità al giorno1Classe dell'u

Samsung SSD PM893 3.84 TB SATA (6Gb/s) 2.5" Data Center SSD OEM Samsung SSD PM893 3,84 TB SATA (6Gb/s) 2,5" Data Centre SSD OEM Dettagli del prodotto Design Unità a stato solido (SSD) Fattore di forma 2,5" Interfaccia SATA 6Gb/s Moduli di memoria 3D-NAND

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - Hot-SwapCapacità di archiviazione1.92 TBTipo di memoria flash NANDTLC (Triple-Level Cell)Fattore di forma2.5" SFF (6,4 cm SFF)InterfacciaSAS 12Gb/sCaratteristicheFirmware firmato digitalmenteAl

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - Hot-SwapCapacità di archiviazione1.92 TBTipo di memoria flash NANDTLC (Triple-Level Cell)Fattore di forma2.5" SFF (6,4 cm SFF)InterfacciaSATA 6Gb/sCaratteristicheFirmware firmato digitalmenteAl