Hard Disk Memoria Solida in Hard Disk interni

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione2 TBAlgoritmo di crittografiaaES a 256 bitTipo di memoria flash NANDcella a triplo livello 3D (TLC)Dissipatore di calore integratoSìFattore di formaM.2 2280Tipo

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione2 TBFattore di formaM.2 2242Tipo di interfacciaPCIe 3.0 x4 (NVMe)CaratteristicheGarbage Collection avanzata, correzione degli errori LDPC, cache SLC, tecnologia

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione2 TBFattore di formaM.2 2242Tipo di interfacciaPCIe 4.0 x4 (NVMe)CaratteristicheGarbage Collection avanzata, motore RAID, correzione degli errori LDPC, tecnologi

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione2048 GBFattore di formaM.2Tipo di interfacciaPCIe (NVMe)Espansione e connettivitàInterfacce1 x PCI Express (NVMe)Alloggiamento compatibileM.2Informazioni sulla c

Samsung Pm893 Series Mz7l31t9hblt-00a07 - Solid State Drive - 1,92 Tb - Sata 6gb/s Tipo: unità a stato solido - interna Capacità: 1,92 Tb Algoritmo di crittografia: Aes a 256 bit Tipo di memoria flash Nand: cella a triplo livello 3d (tlc) Fattore di …

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione1.92 TBCrittografia hardwareSìAlgoritmo di crittografiaaES a 256 bitTipo di memoria flash NANDcella a triplo livello 3D (TLC)Fattore di forma2.5" (6,4 cm)Interfa

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione1.92 TBFattore di forma2.5" (6,4 cm)InterfacciaU.2 PCIe 4.0 x4 (NVMe)PrestazioniVelocità di trasmissione dati interna6800 MBps (lettura)/4000 MBps (scrittura)4 K

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione1.92 TBCrittografia hardwareSìAlgoritmo di crittografiaaES a 256 bitTipo di memoria flash NANDcella a triplo livello 3D (TLC)Fattore di forma2.5" (6,4 cm)Interfa

Informazioni generaliTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità8 TBTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Dissipatore di calore integratoSìFattore di formaM.2 2280InterfacciaPCI Express 5.0 x4 (NVMe)CaratteristicheDissipatore d

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione1.92 TBFattore di forma2.5" (6,4 cm)InterfacciaSAS 24Gb/sCaratteristichetecnologia V-NAND a 128 stratiPrestazioniRegistrazioni dell'unità al giorno1Classe dell'u

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione1.92 TBFattore di forma2.5" (6,4 cm)InterfacciaSATA 6Gb/sCaratteristicheProtezione da interruzione di corrente (SAS), protezione dei dati end-to-endLarghezza del

Informazioni generaliTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità8 TBTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di formaM.2 2280InterfacciaPCI Express 5.0 x4 (NVMe)CaratteristicheTecnologia nCache 4.0, CMOS-bound array (CBA),

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione1.92 TBAlgoritmo di crittografiaaES a 256 bitTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di forma2.5" (6,4 cm)InterfacciaSATA 6Gb/sByte per setto

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - Hot-SwapCapacità di archiviazione1.92 TBTipo di memoria flash NANDTLC (Triple-Level Cell)Fattore di forma2.5" SFF (6,4 cm SFF)InterfacciaSAS 12Gb/sCaratteristicheFirmware firmato digitalmenteAl

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - Hot-SwapCapacità di archiviazione1.92 TBTipo di memoria flash NANDTLC (Triple-Level Cell)Fattore di forma2.5" SFF (6,4 cm SFF)InterfacciaSATA 6Gb/sCaratteristicheFirmware firmato digitalmenteAl

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - Hot-SwapCapacità di archiviazione1.6 TBTipo di memoria flash NANDTLC (Triple-Level Cell)Fattore di forma2.5" SFF (6,4 cm SFF)Tipo di interfacciaU.3 PCIe 4.0 (NVMe)CaratteristicheDoppia porta, f

Volete accelerare le prestazioni delle vostre applicazioni data-intensive? Le unità con memoria a stato solido (SSD) per uso misto (MU) dei server HPE offrono prestazioni e durata elevate per le applicazioni che richiedono prestazioni IOPS elevate per let

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - Hot-SwapCapacità di archiviazione1.6 TBTipo di memoria flash NANDTLC (Triple-Level Cell)Fattore di forma2.5" SFF (6,4 cm SFF)InterfacciaSAS 12Gb/sCaratteristicheDoppia porta, firmware firmato d