Hard Disk Memoria Solida in Hard Disk interni

In generaleTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità1 TBCrittografia hardwareSìTipo di memoria flash NANDTLC (Triple-Level Cell)Fattore di formaM.2 2280InterfacciaPCI Express 5.0 (NVMe)Caratteristichetecnologia TLC NAND a 232 strati, suppo

Informazioni generaliTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità256 GBTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di formaM.2 2280InterfacciaPCIe 3.0 x4 (NVMe)CaratteristicheTecnologia 3D NAND, NVM Express (NVMe) 1.4, support

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione1 TBCrittografia hardwareSìTipo di memoria flash NANDTLC (Triple-Level Cell)Tipo di interfacciaPCI Express 5.0 (NVMe)Caratteristichetecnologia NAND TLC a 232 str

Il MSI SPATIUM M560 ├¿ stato progettato per migliorare le prestazioni della memoria in ogni ambiente di computer. Con una capacit├á di 2 TB, questo disco rigido a stato solido interno si distingue per la sua velocit├á di trasferimento interno di 10.300 …

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione1 TBTipo di memoria flash NANDTLC (Triple-Level Cell)Fattore di formaM.2 2280Tipo di interfacciaPCIe 4.0 x4 (NVMe)CaratteristicheSupporto TRIM, Idle Time Garbage

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione2 TBTipo di memoria flash NAND3D a triplo livello di celle (TLC)Fattore di forma2.5" (6,4 cm)Tipo di interfacciaSATA 6Gb/sCaratteristicheNative Command Queuing (

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione2 TBFattore di formaM.2 2280Tipo di interfacciaPCIe 3.0 x4 (NVMe)Caratteristichestenza agli urti, smorzamento delle vibrazioni, tecnologia 3D NAND, controllo di

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità interna1024 GBCrittografia hardwareSìAlgoritmo di crittografiaaES a 256 bitTipo di memoria flash NANDcella a triplo livello 3D (TLC)Fattore di formamSATAInterfacciaSATA 6Gb/sCar

L'unità con memoria a stato solido Ultimate SU650 implementa la tecnologia 3D NAND Flash e un controller ad alta velocità, offrendo capacità fino a 2 TB. Offre prestazioni di lettura/scrittura fino a 520/450 MB/s e maggiore affidabilità rispetto alle unit

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione1 TBFattore di formaM.2InterfacciaPCIe 4.0 x4 (NVMe)PrestazioniVelocità di trasmissione dati interna3600 MBps (lettura)/3000 MBps (scrittura)4 KB in lettura casu

GeneraleTipo di dispositivoDisco a stato solido - internoCapacità64 GBTipo di memoria flash NANDCella a più livelli (MLC)Fattore di formaM.2 2242Tipo di interfacciaSATA 6Gb/sCaratteristicheNative Command Queuing (NCQ), antiurto, supporto TRIM, gestione in

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità64 GBTipo di memoria flash NANDCella a più livelli (MLC)Fattore di formamSATAInterfacciaSATA 6Gb/sCaratteristicheNative Command Queuing (NCQ), supporto TRIM, tecnologia StaticDat

MZ-77E1T0B/EU Unità a stato solido progettata per offrire elevate prestazioni e affidabilità in un formato compatto. Memoria di massa Capacità: 1.000 GB Velocità di scrittura: 530 MB/s Velocità di lettura: 560 MB/s Formato: 2,5 Dimensioni e Peso Altezza …

In generaleTipo di dispositivoUnità a stato solido - internaCapacità2 TBTipo di memoria flash NAND3D triple-level cell (TLC)Fattore di formaM.2 2280InterfacciaPCIe 4.0 x4 (NVMe)Caratteristiche3D BiCS Flash, Host Memory Buffer (HMB), Idle Time Garbage Coll

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione1 TBCrittografia hardwareSìAlgoritmo di crittografiaaES a 256 bitTipo di memoria flash NANDcella 3D a triplo livello (TLC)Dissipatore di calore integratoSìFattor

SPECIFICHE DEL PRODOTTOComponenti NAND Memoria flash 3DInterfaccia PCIe Gen3 x4Fattore di forma M.2 2280PRESTAZIONI (LETTURA/SCRITTURA SEQUENZIALE MASSIMA)500 GB 3.500 MB/s (lettura), 925 MB/s (scrittura)1 TB 3.500 MB/s (lettura), 1.800 MB/s (scrittura)2

GeneraleTipo di dispositivoUnità con memoria a stato solido - internaCapacità di archiviazione2 TBCrittografia hardwareSìFattore di formaM.2Tipo di interfacciaPCI Express 5.0 (NVMe)Caratteristichetecnologia NAND TLC a 232 stratiPrestazioniVelocità di tras

Ediloca ES106 4TB SSD SATA III 6Gb/s 2.5 3D NAND QLC Disco Rigido Interno, Fino a 550MB/s Lettura, Aggiorna PC o Laptop Memoria e Archiviazione (Nero) 【Facile aggiornamento】 L'unità a stato solido sostituisce il tradizionale disco rigido meccanico per …